我们的1200V碳化硅功率MOSFET已成功开发

       自我公司确定建立1200V SiC MOSFET项目以来，芯片研发部门的众多工程师经过数月的艰苦攻关，对芯片的布局、结构、工艺等进行了完整、全方位的软件仿真仿真，根据团队以往的设计经验进行改进，得到优化后的参数，与台湾代工厂反复讨论制定加工条件，并在线调试生产线，最终进行了一次轮转试验，获得了1200V工艺平台的设计指标，这与模拟数据相差不到5%。从该旋转芯片中获得了1200V40毫欧的SiC MOSFET芯片，加工成品率大大提高，平均成品率达到80% 水平。